مقاله بررسی مدل های SLEUTH و SLEUTHدرGA در مدل سازی توسعه ی شهری با word دارای 7 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی مدل های SLEUTH و SLEUTHدرGA در مدل سازی توسعه ی شهری با word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی مدل های SLEUTH و SLEUTHدرGA در مدل سازی توسعه ی شهری با word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی مدل های SLEUTH و SLEUTHدرGA در مدل سازی توسعه ی شهری با word :

سال انتشار: 1392
محل انتشار: اولین همایش ملی برنامه ریزی، حفاظت از محیط زیست و توسعه پایدار
تعداد صفحات: 7
چکیده:
درک پویایی شهری یک امر ضروری برای توزیع پایدار منابع در دسترس است. شهرستان های ایران در دهه اخیر شاهد رشد جمعیتی فزاینده ای بوده و با توسعه و گسترش فیزیکی قابل توجهی روبرو بوده اند. از این رو برای پی بردن به میزان و نحوه توسعه این شهرها در آینده و درک پیامدهای ان می توان از مدل های توسعه شهری استفاده کرد. در میان تمام مدل های ثبت شده، سلول های خودکار (CA) با توجه به انعطاف پذیری، سادگی در استفاده و ارتباط نزدیکشان با سنجش از دور و سیستم اطلاعات جغرافیایی مؤثرترین مدل برای توسعه شهری است. از بین تمام مدل های CA، مدل SLEUTH احتمالاً مناسب ترین آنها باشد. استفاده از الگوریتم ژنتیک برای کالیبره کردن مدل SLEUTH سبب به وجود آمدن مدل SLEUTH-GA شده که صحت و سرعت اجرای مدل را بهبود بخشیده است.

مقاله در مورد تهیه شیر و پنیر از سویا با word دارای 9 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله در مورد تهیه شیر و پنیر از سویا با word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله در مورد تهیه شیر و پنیر از سویا با word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله در مورد تهیه شیر و پنیر از سویا با word :

تهیه شیر و پنیر از سویا

شیر سویا
حتما مشاهده کرده اید که دانه های سویا به شکل لوبیاست و لوبیای سویا نام دارد. با خیس کردن دانه های لوبیای سویا در آب و خرد کردن و فشار دادن سویاهای خیس خورده مایعی بدست می آید که شیرسویا ( SOY MILK )نام دارد. شما می توانید در منزل نیز آن را تهیه کنید.
این ماده غذایی در چین بسیار مصرف می شود. شیرسویا، مزه لوبیا می دهد که چینی ها آن را دوست دارند، ولی ممکن است شما این طعم را دوست نداشته باشید. البته با روش های خاص در کارخانه می توان این طعم را کاهش داد .

ارزش تغذیه ای شیر سویا :
شیرسویا منبع غنی
پروتئین با کیفیت بالا، ویتامین های گروه B و ایزوفلاوون هاست. لاکتوز (قند شیر) را ندارد، بنابراین برای کسانی که دچار مشکل ” عدم تحمل لاکتوز ” هستند و همچنین برای افرادی که نسبت به شیرگاو حساسیت دارند و نمی توانند شیر بخورند، جایگزین خوبی است.
در کشور های دیگر هنگام تهیه شیرسویا در کارخانه، مواد طعم دهنده (وانیل،
کاکائو ) و مقدار زیادی کلسیم یا ویتامین به آن اضافه می کنند.

طرز تهیه شیر از سویا در منزل:
برای تهیه 1 لیتر شیر سویا، حدود 125گرم لوبیای سویا مورد نیاز است. برای تهیه شیر سویا به صورت زیر عمل می کنیم:
1- خیس کردن و گرفتن پوست لوبیاهای سویا:
لوبیاهای سویا را پاک کنید و مدت 10 تا 16 ساعت در آب خیس کنید. در صورت دلخواه می توانید پوست دانه های سویا را بگیرید. گرفتن پوست دانه های سویا باعث می شود مراحل تهیه شیر از سویا بهتر صورت گیرد. یک روش دیگر این است که دانه های سویا را قبل از خیس کردن کمی شکاف دهید. در این حالت پوسته ها به راحتی شل شده و با شستن از سویا جدا می شوند. اگر سویا را شکاف دهید ، زمان لازم برای خیس خوردن آن 6 تا 8 ساعت می شود.
2- حرارت دادن دانه های سویا:
سویاها را حرارت دهید تا آنزیم های مولد طعم لوبیا، از بین بروند. برای این کار می توانید مدت 2دقیقه سویاهای خیس خورده را داخل مایکروویو قرار دهید یا اینکه داخل فر بگذارید.
3- خرد کردن دانه های سویا:
لوبیاهای سویای خیس خورده را به همراه 1 لیتر آب داخل مخلوط کن بریزید و مخلوط کنید. یا اینکه می توانید سویا های خیس خورده را کاملاً آسیاب کنید و با 1 لیتر آب مخلوط کنید. سپس مایع مخلوط شده را آبکش کنید.

4- جوشاندن شیر سویا:
مایعی که از آبکش رد شده است، شیر سویا نام دارد. شیر سویا را مدت 5 تا 10 دقیقه بجوشانید. بعد از خنک شدن، شیر سویا آماده مصرف است و می توانید تا 3 روز آن را در یخچال نگه دارید.
5- طعم دادن به شیر سویا:
برای بهبود طعم شیر سویا، می توانید مقداری نمک به آن اضافه کنید، زیرا شیر گاو هم حاوی مقدار زیادی نمک است. شکلات، وانیل یا طعم دهنده های میوه ای نیز، مناسب هستند.

توفو
توفو (TOFU) ماده غذایی است، که شبیه پنیر است. و با افزودن مواد انعقاد دهنده به شیر سویا بدست می آید. . در حقیقت توفو، همان پنیری است که با انعقاد شیر سویا به دست می آید.
پنیر سویا نیز همانند پنیر معمولی باید در آب سرد و در یخچال نگهداری شود.
ارزش تغذیه ای توفو:
توفو همانند سایر فرآورده های سویا، LDL (کلسترول بد) خون را کاهش می دهد و مقدار HDL (کلسترول خوب) را در حد طبیعی حفظ می کند، در نتیجه احتمال بیمارهای قلبی را کاهش می دهد.
* پنیر سویا نیز همانند شیر سویا منبع غنی پروتئین و ویتامین های گروه B است که در رژیم گیاهخواری¬می تواند جایگزین گوشت شود.
* توفو بر خلاف شیر سویا، حاوی مقدار زیادی کلسیم است که برای جلوگیری از
پوکی استخوان مفید است.
* هضم پنیر سویا (توفو ) خیلی آسان است ، زیرا فیبر موجود در دانه های سویا طی عملیات کارخانه ای از آن جدا می شوند.

* توفو همانند سایر فرآورده های سویا، LDL (کلسترول بد) خون را کاهش می دهد و مقدار
HDL (کلسترول خوب) را در حد طبیعی حفظ می کند، در نتیجه احتمال بیمارهای قلبی را کاهش می دهد.
* توفو منبع غنی ایزوفلاوون هاست. ایزوفلاوون ها خطر پوکی استخوان را کاهش می دهند. همچنین احتمال سرطان سینه، سرطان
پروستات و عوارض یاسئگی مثل گرُ گرفتگی و اختلالات روحی را کم م

ی کنند.

طرز تهیه توفو در منزل:
1- برای تهیه 400 گرم پنیر سویا، حدود 2 لیتر شیر سویا و دو قاشق چایخوری سولفات کلسیم طبیعی لازم است. برای تهیه پنیر سویا به صورت زیر عمل می کنیم:
1- جوشاندن شیر سویا : شیر سویا را در یک ظرف بریزید و 5 تا 10 دقیقه به آرامی بجوشانید. سپس آن را خنک کنید تا دمای شیر به 70 درجه سانتیگراد برسد.
2- سولفات کلسیم، یک ماده منعقد کننده و در حقیقت “مایه پنیر” است. دو قاشق چایخوری سولفات کلسیم طبیعی را در یک لیوان آب گرم حل کنید. هر چقدر مقدار سولفات کلسیم کمتر باشد، توفو نرم تر و هر چقدر مقدار سولفات کلسیم بیشتر باشد، توفو سفت تر می شود.
3- محلول حاوی سولفات کلسیم را به آرامی در شیر سویای گرم بریزید و آن را هم بزنید. اگر بعد از افزودن محلول سولفات کلسیم ، باز هم قسمتی از شیر به حالت شل باقی مانده بود، یک مقدار دیگر سولفات کلسیم اضافه کنید.
4- اگر تمامی شیر سویا، منعقد شد( دلمه بست) و مایع آبکی زرد رنگی روی آن دیده شد ، یک پارچه سفید تمیز را در یک آبکش قرار دهید و شیر منعقد شده را روی پارچه بریزید . لبه های پارچه را روی پنیر برگردانید. سپس یک بشقاب ملامین پهن را روی پارچه ی حاوی پنیر قرار داده و یک وزنه یک کیلویی را مدت 20 دقیقه روی بشقاب بگذارید تا آب زردرنگ پنیر از آن جدا شود. بعد از این مدت پنیر آماده است. آن را برش دهید و در یک ظرف آب سرد قرار دهید. سپس ظرف را در یخچال نگه دارید و هر روز آب آن را عوض کنید.
مویرگها (Capillaries) ، کوچکترین رگهای خونی هستند که شامل شبکیه پیچیده‌ای از لوله‌های نازک هستند و بطور گسترده تبادلات بین بافتها و خون از طریق دیواره آنها انجام می‌گیرد.

دید کلی
شریانچه‌ها به رگهای خونی بسیار ظریفی منتهی می‌شوند که به مویرگ موسومند. مویرگها در حدود 9-7 میکرومتر قطر دارند و فضای درونی آنها برای جاگیری یک گویچه قرمز کفایت می‌کند. دیواره مویرگ متشکل از یک ردیف سلول پهن و نازک به نام آندوتلیوم ، تیغه پایه می‌باشد. همراه با مویرگها در فواصلی نامنظم ، سلولهایی به نام پری سیت دیده می‌شوند که بوسیله تیغه پایه محصور شده‌اند و با زواید بلند خود مویرگ را در بر می‌گیرند. این سلولها ، سلولهای متمایز نشده‌ای هستند که قادرند در مواقع لازم به سلولهای عضلانی دیواره رگ و یا سلولهای پیوندی ، تمایز یابند.
گرچه عقیده بر این است که سلولهای آندوتلیال با داشتن فیلامنتهای انقباضی دارای خاصیت انقباضی می‌باشند، ولی سلولهای پری سیت نیز حاوی فیلامنتهای انقباضی هستند. مویرگها در ارگانهای مختلف برای تامین نیازهای آنها تغییراتی پیدا می‌کنند که از این نظر مویرگها سه دسته هستند.

مویرگهای پیوسته (Continuous Copillaries)
مویرگهای پیوسته یا سوماتیک بوسیله عدم وجود منفذ در دیواره‌شان مشخص می‌شوند، بوسیله اتصال محکم به یکدیگر چسبیده‌اند. این نوع مویرگها در انواع مختلف عضله ، بافت همبند ، غدد برون ریز (اگزوکرین) و سیستم عصبی دیده می‌شود. در برخی مناطق به غیر از بافت عصبی ، وزیکولهای پینوسیتوزی متعددی در هر دو سطح سلول آندوتلیال دیده می‌شوند. این وزیکولها به صورت منفذ در سیتوپلاسم این سلولها دیده می‌شوند و مسئول انتقال درشت مولکولها در هر دو جهت در سیتوپلاسم آندوتلیوم می‌باشند.

مویرگهای منفذدار (Fenestrated capillaries)
به مویرگهایی اطلاق می‌شود که سلولهای آندوتلیال پوشاننده آنها دارای منافذی به قطر 80 – 60 میکرومتر می‌باشد. بایستی توجه داشت که در مویرگهای منفذدار تیغه پایه فاقد منفذ بوده و یکپارچه است. مویرگهای منفذدار در بافتهایی یافت می‌شوند که تبادل مواد بین بافت و خون سریع است که بیشتر در پانکراس ، لوله گوارش و غدد آندوکرین دیده می شوند. در این مویرگها منافذ سلولها توسط لایه نازکی به نام دیافراگم پوشیده شده‌اند که نفوذ‌پذیری آنها نسبت به غشا و سلول زیادتر است.
سینوزوئیدها (Sinusoids)

مقاله ترانزیستور با word دارای 26 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله ترانزیستور با word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله ترانزیستور با word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله ترانزیستور با word :

ترانزیستور

ترانزیستور را معمولاً به عنوان یکی از قطعات الکترونیک می‌‌شناسند. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند سیلیسیم (سیلیکان) ساخته می‌شود.

تاریخچه :
سه نفر از دانشمندان لابراتوارهای بل در صدد کشف چیزی بودند که به جای لامپ رادیو به کار برند ولی کوچکتر و محکمتر باشد برق کمتری مصرف کند و دوام بیشتری داشته باشد و برر اثر کار زیاد نسوزد که ناگهان ترانزیستور را کشف کردند که تمام این خصوصیات را به علاوه مزایای بیشتری دارا است.

در 30 ژوئن 1948 دکتر جان باردین و والد براتاین دانشمندان آزمایشگاه تحقیقاتی شرکت بل، واقع در نیویورک خبر اختراع خود را به عموم جهان رساندند. این اختراع ترانزیستور نام گرفت.

یک ترانزیستور که بزرگتر از یک عدس نیست تقریباْ قادر است هر کاری را که لامپ‌های خلاء انجام می‌دادند، انجام دهد. به علاوه کارهایی را هم که این لامپها قادر به انجام آن نبودند انجام می‌دهد. به مرور زمان ترانزیستور جای لامپهای خلاء را گرفت. درست مثل اتومبیل که جای گاریهای قدیمی و اسبی را گرفت.

اگر چه ترانزیستور می تواند کارهای لامپ خلاء را انجام دهد، اما اصلاْ شباهتی به آن ندارد. نه کاتدی دارد و نه شبکه و صفحه ای حتی شکل ظاهری آن هم با لامپ خلاء کاملاْ متفاوت است.

ترانزیستور یک وسیله یک سو کننده و نوسان ساز بسیار عالی است و رل مهمی در تمامی صنایع جدید به عهده دارد. ترانزیستور بدون آنکه نیازی به گرم شدن داشته باشد به محض برقراری اتصال و ولتاژ شروع به کار می کند. جریان مصرفی آن، یک هزارم جریان مصرفی لامپ معمولی است. به همین دلیل بسیار ارزانتر و استفاده از آْن ساده‌تر است.

ترانزیستور و مدار کوچک یکپارچه این امکان را به وجود آورد که رادیوهای کوچک جیبی و تلویزیونهای کوچکتر با تصویر بزرگتر ساخته شود. یک صنعت کاملا جدید پا به عرصه وجود گاشت. امروز از برکت دستگاه تنظیم قلب که با ترانزیستور کار می کند قلب بسیاری از بیماران به حال عادی می طپد. نابینایان با کمک دستگاههای ترانزیستوری می توانند موانع را ببینند

نوار قلبی بیمار بستری را به وسیله تلفن به کارشناس قبل در هر نقطه دنیا که باشد می فرستند. هواپیماهای جت با سیستم هدایت سبک وزنی مجهز هستند و بالاخره همین مدار بسته یکپارچه است که امکانات سفر بشر به ماه را فراهم نمود.

مصرف ترانزیستور به طور روزافزونی رو به ازدیاد است. در رادیو، تلویزیون، مدارات الکترونیکی، هواپیما، رایانه، پزشکی و موشک ترانزیستور استفاده می‌شود. در ابتدا وجود ترانزیستور باعث شد که ارتباطات تلفنی راه دور، به طور مستقیم و بدون استفاه از اپراتور امکان پذیر شود. برای اولین بار در تاریخ، ارتباط بین دو شهر انگل وود و نیوجرسی با استفاده از ترانزیستور برقرار شد.

امروزه بعد از گذشت حدود نیم قرن ازاختراع ترانزیستور و مشتقات آن کار به جایی رسیده است که هر کس می تواند در منزل رایانه شخصی داشته باشد. ترانزیستور معمولی چیزی بیشتر از دو تکه سیم بسیار کوچک که در یک پولک ساخته شده از ژرمانیم یا سیلیکن قرار داده شده نیست.

تئوری کار ترانزیستور کمی پیچیده و تکنیکی است اما هر چه هست در ساخت آن از خواص نیمه رسانا استفاده شده است که از زمان کشف آن مدت زیادی نمی گذرد.

در نیمه رساناها مثل ژرمانیم و سیلیکن تعداد کمی الکترون حامل جریان وجود دارد شاید یک الکترون در هر یک میلیون اتم. اگر چه این رقم خیلی کوچک است، اما می توان با تغییر ساختمان داخلی مواد، با استفاده از میدانهای الکتریکی این رقم را هزار برابر نمود.

برای روشن تر شدن مفهوم بالا باید ساختمان اتم را کمی بیشتر مطالعه کرد. الکترونهای موجود در مواد نارسانا در مدارهای مختلف بهصورت حلقه ای در اطراف هسته اتم در چرخش هستند و سرعت زیاد و تولید انرژی فراوان سبب می شود که الکترونها نتوانند از مسیر خود منحرف و یا جابجا شوند.

در نتیجه الکترونها امکان برقراری هیچ نوع جریان الکتریکی را نمی یابند. در اجسام نارسانا، پوسته الکترونی و یا باند ظرفیتی آن(آخرین حلقه الکترون دار به دور هسته اتم) از باند هدایت جدا بوده و انرژی بسیار زیادی لازم است تا یک الکترون را از پوسته الکترونی جدا کند و به باند هدایت کننده بفرستد. اما در اجسام رسانا مانند فلزات این پوسته الکترونی یا باند هدایت کننده تداخل پیدا کرده و الکترونهای به راحتی جابجا می شوند.

در یک عنصر نیمه رسانا مانند ژرمانیم و یا سیلیکن الکترونهای موجود در باند ظرفیت نزدیک به باند هدایت کننده قرار ندارند اما می توان با تحریک خارجی آنها را در هم داخل کرد. به طور مثال گرمای محیط و اتاق می تواند تعداد زیادی الکترونهای اتم ژرمانیم را به باند هدایت بفرستد و در اثر این جابجایی حفره هایی در محل های قبلی الکترونها به وجود می آید.

این حفره ها حامل بار مثبت بوده و حاضر به پذیرش الکترونهای عناصر قبلی و مواد دیگر هستند. حفره ها نه تنها الکترونها را می پدیرند بلکه خود به طرف باند هادی حرکت می کنند و در اثر این حرکت جریانی را به وجود می آورند و در عین حال الکترونها را هم در مسیر همین جریان با خود حمل می کنند.

کمترین تحریک خارجی حفره ها را در جهت حفره هایی که از فرار لکترونها به سمت باند هادی به وجود آمده است به حرکت درآورده و این حفره های متحرک علاوه بر اینکه خود تولید جریان می نمایند، الکترونهایی را که از مواد خارجی دیگر به داخل اتم ژرمانیم وارد شده اند حمل کرده و در نتیجه باعث افزایش جریان می شوند.

تشریحات آزمایشگاه تحقیقاتی بل در اول جولای سال 1948 چنین می گوید: کار ترانزیستور بر پایه این حقیقت که الکترونهای موجود در نیمه رساناها می توانند به دو صورت متفاوت جریان را برقرار کنند، قرار دارد. بیشتر الکترونهای موجود در نیمه رسانا اصولاٌ‌ کمکی به برقراری جریان نمی کنند. بلکه آنها در وضعیت ثابتی به هم چسبیده اند.

درست مثل اینکه آنها را با چسب به هم چسبانده باشند. تنها وقتی که یکی از این الکترونها از جای خود خارج شود و یا به طریقی یک الکترون خارجی به مجموعه آنها وارد شود، جریان برقرار می شود. به زبان دیگر اگر یکی از الکترونهای موجود در مجموعه به هم چسبیده از محل خود جدا شود حفره ای که در اثر این جابجایی بوجود می آید مانند حباب هوای موجود در مایع می تواند حرکت کند و جریانی را برقرار سازد.

در ترانزیستوری که از واد نیمه رسانا ساخته شده است به طور معمول فقط در اثر ورود الکترون اضافی شروع به برقراری جریان می کند. جریان از نقطه ورود الکترون که ولتاژ مثبت کمی دارد شروع به حرکت کرده و از محل خروج الکترون خارج می شود ولتاژ نقطه خروجی ولتاژ منفی بیشتری دارد.

بعد از اختراع ترانزیستور و به وجود آمدن انواع گوناگون آن مدارهای مجتمع اختراع شد. به این قطعات آی سی می گویند. آی سی ممکن است گاهی صدها ترانزیستور ساخته شده باشد که داخل یک قطعه 3*1 سانتیمتری قرار گرفته اند.

اختراع آی سی تحول عظیم دیگری را در صنعت الکترونیک به وجود آورد. در ادامه تحقیقات و پیشرفتهایی که در زمینه ساخت آی سی به دست آمد، آی سی های برنامه ریزی شده اختراع شدند در یک آی سی برنامه ریزی شده که ابعادی معادل 8*2 سانتیمتر دارد میلیونها حافظه وجود دارد.

کاربرد
ترانزیستور هم در مدارات الکترونیک آنالوگ و هم در مدارات الکترونیک دیجیتال کاربردهای بسیار وسیعی دارد. در آنالوگ می‌توان از آن به عنوان تقویت کننده یا تنظیم کننده ولتاژ (رگولاتور) و ; استفاده کرد. کاربرد ترانزیستور در الکترونیک دیجیتال شامل مواردی مانند پیاده سازی مدار منطقی، حافظه، سوئیچ کردن و ; می‌شود.به جرات می توان گفت که ترانزیستور قلب تپنده الکترونیک است.

عملکرد
ترانزیستور از دیدگاه مداری یک عنصر سه‌پایه می‌‌باشد که با اعمال یک سیگنال به یکی از پایه‌های آن میزان جریان عبور کننده از دو پایه دیگر آن را می‌توان تنظیم کرد. برای عملکرد صحیح ترانزیستور در مدار باید توسط المان‌های دیگر مانند مقاومت‌ها و ; جریان‌ها و ولتاژهای لازم را برای آن فراهم کرد و یا اصطلاحاً آن را بایاس کرد.

انواع
دو دسته مهم از ترانزیستورها BJT (ترانزیستور دوقطبی پیوندی) (Bypolar Junction Transistors) و FET (ترانزیستور اثر میدان) (Field Effect Transistors) هستند. ترانزیستورهای اثزمیدان یا FETها نیز خود به دو دسته ی ترانزیستور اثر میدان پیوندی(JFET) و MOSFET‌ها (Metal Oxide SemiConductor Field Effect Transistor) تقسیم می‌شوند.

ترانزیستور دوقطبی پیوندی
در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جریان به پایه بیس جریان عبوری از دو پایه کلکتور و امیتر کنترل می‌شود. ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی در دونوع npn و pnp ساخته می‌شوند. بسته به حالت بایاس این ترانزیستورها ممکن است در ناحیه قطع، فعال و یا اشباع کار کنند. سرعت بالای این ترانزیستورها و بعضی قابلیت‌های دیگر باعث شده که هنوز هم از آنها در بعضی مدارات خاص استفاده شود.

ترانزیستور اثر میدان پیوندی(JFET)
در ترانزیستورهای JFET(Junction Field Effect Transistors( در اثر میدان، با اعمال یک ولتاژ به پایه گیت میزان جریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type. از دasdfghjfdgsdfgsdfgsdfgsdfgیدگاهی دیگر این ترانزیستورها در دو نوع افزایشی و تخلیه‌ای ساخته می‌شوند.نواحی کار این ترانزستورها شامل “فعال” و “اشباع” و “ترایود” است این ترانزیستورها تقریباً هیچ استفاده‌ای ندارند چون جریان دهی آنها محدود است و به سختی مجتمع می‌شوند.

انواع ترانزیستور پیوندی
pnp
شامل سه لایه نیم هادی که دو لایه کناری از نوع p و لایه میانی از نوع n است و مزیت اصلی آن در تشریح عملکرد ترانزیستور این است که جهت جاری شدن حفره‌ها با جهت جریان یکی است.

npn
شامل سه لایه نیم‌ هادی که دو لایه کناری از نوع n و لایه میانی از نوع p است. پس از درک ایده‌های اساسی برای قطعه ی pnp می‌توان به سادگی آنها را به ترانزیستور پرکاربردتر npn مربوط ساخت.

ساختمان ترانزیستور پیوندی ترانزیستور دارای دو پیوندگاه است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل ترانزیستور شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ را دیود بیس _ امیتر یا صرفاً دیود امیتر و دیود سمت راست را دیود کلکتور _ بیس یا دیود کلکتور می‌نامیم. میزان ناخالصی ناحیه وسط به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و بالعکس باعث زیاد شدن مقاومت این ناحیه می‌گردد.

امیتر که به شدت آلائیده شده، نقش گسیل و یا تزریق الکترون به درون بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن ضعیف است و لذا بیشتر الکترونهای تزریق شده از امیتر را به کلکتور عبور می‌دهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش شدید امیتر و بیشتر از آلایش ضعیف بیس است و کلکتور الکترونها را از بیس جمع‌آوری می‌کند.

طرز کار ترانزیستور پیوندی طرز کار ترانزیستور را با استفاده از نوع npn مورد بررسی قرار می‌دهیم. طرز کار pnp هم دقیقا مشابه npn خواهد بود، به شرط اینکه الکترونها و حفره‌ها با یکدیگر عوض شوند. در نوع npn به علت تغذیه مستقیم دیود امیتر ناحیه تهی کم عرض می‌شود، در نتیجه حاملهای اکثریت یعنی الکترونها از ماده n به ماده p هجوم می‌آورند. حال اگر دیود بیس _ کلکتور را به حالت معکوس تغذیه نمائیم، دیود کلکتور به علت بایاس معکوس عریض‌تر می‌شود.

الکترونهای جاری شده به ناحیه p در دو جهت جاری می‌شوند، بخشی از آنها از پیوندگاه کلکتور عبور کرده، به ناحیه کلکتور می‌رسند و تعدادی از آنها با حفره‌های بیس بازترکیب شده و به عنوان الکترونهای ظرفیت به سوی پایه خارجی بیس روانه می‌شوند، این مولفه بسیار کوچک است.

شیوه ی اتصال ترازیستورها
اتصال بیس مشترک در این اتصال پایه بیس بین هر دو بخش ورودی و خروجی مدار مشترک است. جهتهای انتخابی برای جریان شاخه‌ها جهت قراردادی جریان در همان جهت حفره‌ها می‌شود.

اتصال امیتر مشترک مدار امیتر مشترک بیشتر از سایر روشها در مدارهای الکترونیکی کاربرد دارد و مداری است که در آن امیتر بین بیس و کلکتور مشترک است. این مدار دارای امپدانس ورودی کم بوده، ولی امپدانس خروجی مدار بالا می‌باشد.

اتصال کلکتور مشترک اتصال کلکتور مشترک برای تطبیق امپدانس دhhhhhhhhhhhhhhر مدار بکار می‌رود، زیرا برعکس حالت قبلی دارای امپدانس ورودی زیاد و امپدانس خروجی پائین است. اتصال کلکتور مشترک غالبا به همراه مقاومتی بین امیتر و زمین به نام مقاومت بار بسته می‌شود.

نویسنده :فرهاد وحدانی،با تحقیق از حمیدرضا مروج ذکر شده توسط HoPPiCo
ترانزیستور اثر میدان MOS
این ترانزیستورها نیز مانند Jfetها عمل می‌کنند با این تفاوت که جریان ورودی گیت آنها صفر است. همچنین رابطه جریان با ولتاژ نیز متفاوت است. این ترانزیستورها دارای دو نوع PMOS و NMOS هستند که فناوری استفاده از دو نوع آن در یک مدار تکنولوژی CMOS نام دارد. این ترانزیستورها امروزه بسیار کاربرد دارند زیرا براحتی مجتمع می‌شوند و فضای کمتری اشغال می‌کنند. همچنین مصرف توان بسیار ناچیزی دارند.

به تکنولوژی‌هایی که از دو نوع ترانزیستورهای دوقطبی و Mosfet در آن واحد استفاده می‌کنند Bicmos می‌گویند.
البته نقطه کار این ترانزیستورها نسبت به دما حساس است وتغییر می‌کند. بنابراین بیشتر در سوئیچینگ بکار می‌‌روند AMB

ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی – فت

ترانزیستور اثر میدانی ( فت ) – FET همانگونه که از نام این المام مشخص است، پایه کنترلی آن جریانی مصرف نمی کند و تنها با اعامل ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه هادی ، جریان عبوری از FET کنترل می شود. به همین دلیل ورودی این مدار هیچ کونه اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد.

فت دارای سه پایه با نهامهای درِین D – سورس S و گیت G است که پایه گیت ، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می نماید. فت ها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می کند . FET ها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند.

نوع دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی MOSFET ها هستند ( ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی – Metal-Oxide Semiconductor Field Efect Transistor ) یکی از اساسی ترین مزیت های ماسفت ها نویز کمتر آنها در مدار است.

فت ها در ساخت فرستنده باند اف ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند. برای تست کردن فت کانال N با مالتی متر ، نخست پایه گیت را پیدا می کنیم. یعنی پایه ای که نسبت به دو پایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر مقاومت آن بی نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت از مقاومت پایه درین و سورس بیشتر است که از این طریق می توان پایه درین را از سورس تشخیص داد.

ترانزیستور چگونه کار می کند ؟

نماد و شماتیک پیوندها در ترانزیستورها
در مطالب قبل بطور خلاصه راجع به دیودها و ترانزیستورها و پیوندهای PN صحبت کرده مثالهایی از کاربرد اصلی انواع دیود ارائه کردیم. در این قسمت راجع به گونه های ساده اولین ترانزیستورها که از سه لایه نیمه هادی تشکیل شده اند صحبت خواهیم کرد.

بصورت استاندارد دو نوع ترانزیستور بصورت PNP و NPN داریم. انتخاب نامه آنها به نحوه کنار هم قرار گرفتن لایه های نیمه هادی و پلاریته آنها بستگی دارد. هر چند در اوایل ساخت این وسیله الکترونیکی و جایگزینی آن با لامپهای خلاء، ترانزستورها اغلب از جنس ژرمانیم و بصورت PNP ساخته می شدند اما محدودیت های ساخت و فن آوری از یکطرف و تفاوت بهره دریافتی از طرف دیگر، سازندگان را مجبور کرد

که بعدها بیشتر از نیمه هادیی از جنس سیلیکون و با پلاریته NPN برای ساخت ترانزیستور استفاده کنند. تفاوت خاصی در عملکرد این دو نمونه وجود ندارد و این بدان معنی نیست که ترانزیستور ژرمانیم با پلاریته NPN یا سیلیکون با پلاریته PNP وجود ندارد.

نمای واقعی تری از پیوندها در یک ترانزیستور که تفاوت
کلکتور و امیتر را بوضوح نشان می دهد.
برای هریک از لایه های نیمه هادی که در یک ترانزیستور وجود دارد یک پایه در نظر گرفته شده است که ارتباط مدار بیرونی را به نیمه هادی ها میسر می سازد. این پایه ها به نامهای Base (پایه) ، Collector (جمع کننده) و Emitter (منتشر کننده) مشخص می شوند. اگر به ساختار لایه ای یک ترانزیستور دقت کنیم بنظر تفاوت خاصی میان Collector و Emitter دیده نمی شود

اما واقعیت اینگونه نیست. چرا که ضخامت و بزرگی لایه Collector به مراتب از Emitter بزرگتر است و این عملا” باعث می شود که این دو لایه با وجود تشابه پلاریته ای که دارند با یکدیگر تفاوت داشته باشند. با وجود این معمولا” در شکل ها برای سهولت این دو لایه را بصورت یکسان در نظر میگیردند.

بدون آنکه در این مطلب قصد بررسی دقیق نحوه کار یک ترانزیستور را داشته باشیم، قصد داریم ساده ترین مداری که می توان با یک ترانزیستور تهیه کرد را به شما معرفی کرده و کاربرد آنرا برای شما شرح دهیم. به شکل زیر نگاه کنید.

مدار ساده برای آشنایی با طرز کار یک ترانزیستور
بطور جداگانه بین E و C و همچنین بین E و B منابع تغذیه ای قرار داده ایم. مقاومت ها یی که در مسیر هریک از این منابع ولتاژ قرار دادیم صرفا” برای محدود کردن جریان بوده و نه چیز دیگر. چرا که در صورت نبود آنها، پیوندها بر اثر کشیده شدن جریان زیاد خواهند سوخت.

طرز کار ترانزیستور به اینصورت است، چنانچه پیوند BE را بصورت مستقیم بایاس (Bias به معنی اعمال ولتاژ و تحریک است) کنیم بطوری که این پیوند PN روشن شود (برای اینکار کافی است که به این پیوند حدود 06 تا 07 ولت با توجه به نوع ترانزیستور ولتاژ اعمال شود)، در آنصورت از مدار بسته شده میان E و C می توان جریان بسیار بالایی کشید.

اگر به شکل دوم دقت کنید بوضوح خواهید فهمید که این عمل چگونه امکان پذیر است. در حالت عادی میان E و C هیچ مدار بازی وجود ندارد اما به محض آنکه شما پیوند BE را با پلاریته موافق بایاس کنید، با توجه به آنچه قبلا” راجع به یک پیوند PN توضیح دادیم، این پیوند تقریبا” بصورت اتصال کوتاه عمل می کند و شما عملا” خواهید توانست از پایه های E و C جریان قابل ملاحظه ای بکشید. (در واقع در اینحالت می توان فرض کرد که در شکل دوم عملا” لایه PN مربوط به BE از بین می رود و بین EC یک اتصال کوتاه رخ می دهد.)

بنابراین مشاهده می کنید که با برقراری یک جریان کوچک Ib شما می توانید یک جریان بزرگ Ic را داشته باشید. این مدار اساس سوئیچ های الکترونیک در مدارهای الکترونیکی است. بعنوان مثال شما می توانید در مدار کلکتور یک رله قرار دهید که با جریان مثلا” چند آمپری کار می کند و در عوض با اعمال یک جریان بسیار ضعیف در حد میلی آمپر – حتی کمتر – در مدار بیس که ممکن است از طریق یک مدار دیجیتال تهیه شود، به رله فرمان روشن یا خاموش شدن بدهید.

عملکرد یک ترانزیستور را می توان تقویت جریان دانست. مدار منطقی کوچکی را در نظر بگیرید که تحت شرایط خاص در خروجی خود جریان بسیار کمی را ایجاد می کند. شما بوسیله یک ترانزیستور می توانید این جریان را تقویت کنید و سپس از این جریان قوی برای قطع و وصل کردن یک رله برقی استفاده کنید.

جریان ورودی ای که که یک ترانزیستور می تواند آنرا تقویت کند باید حداقل داشته باشد.چنانچه این جریان کمتر از حداقل نامبرده باشد ترانزیستور در خروجی خود هیچ جریانی را نشان نمی دهد. اما به محض آنکه شما جریان ورودی یک ترانزیستور را به بیش از حداقل مذکور ببرید

در خروجی جریان تقویت شده خواهید دید. از این خاصیت ترانزیستور معمولا” برای ساخت سوییچ های الکترونیکی استفاده می شود. ترانزستورهای اولیه از دو پیوند نیمه هادی تشکیل شده اند و بر حسب آنکه چگونه این پیوند ها به یکدیگر متصل شده باشند می توان آنها را به دو نوع اصلی PNP یا NPN تقسیم کرد.

برای هریک از لایه های نیمه هادی که در یک ترانزیستور وجود دارد یک پایه در نظر گرفته شده است که ارتباط مدار بیرونی را به نیمه هادی ها میسر می سازد.
این پایه ها به نامهای Base (پایه) ، Collector (جمع کننده) و Emitter (منتشر کننده) مشخص می شوند. اگر به اختار لایه ای یک ترانزیستور دقت کنیم بنظر تفاوت خاصی میان Collector و Emitter دیده نمی شود اما واقعیت اینگونه نیست.

چرا که ضخامت و بزرگی لایه Collector به مراتب از Emitter بزرگتر است و این عملا” باعث می شود که این دو لایه با وجود تشابه پلاریته ای که دارند با یکدیگر تفاوت داشته باشند.
با وجود این معمولا” در شکل ها برای سهولت این دو لایه را بصورت یکسان در نظر میگیردند طرز کار ترانزیستور به اینصورت است،

چنانچه پیوند BE را بصورت مستقیم بایاس (Bias به معنی اعمال ولتاژ و تحریک است) کنیم بطوری که این پیوند PN روشن شود (برای اینکار کافی است که به این پیوند حدود 06 تا 07 ولت با توجه به نوع ترانزیستور ولتاژ اعمال شود)،

در آنصورت از مدار بسته شده میان E و C می توان جریان بسیار بالایی کشید.
دیود : همانطور که می دانید دیود ها جریان الکتریکی را در یک جهت از خود عبور می دهند و در جهت دیگر در مقابل عبور جریان از خود مقاومت بالایی نشان می دهند.از لحاظ الکتریکی یک دیود هنگامی عبور جریان را از خود ممکن می سازد که شما با برقرار کردن ولتاژ در جهت درست (+ به آند و – به کاتد) آنرا آماده کار کنید.

مقدار ولتاژی که باعث میشود تا دیود شروع به هدایت جریان الکتریکی نماید ولتاژ آستانه یا (forward voltage drop) نامیده می شود که چیزی حدود 06 تا 07 ولت می باشد.

به شکل اول توجه کنید که چگونه برای ولتاژهای مثبت – منظور جهت درست می باشد – تا قبل از 07 ولت دیود از خود مقاومت نشان می دهد و سپس به یکباره مقاومت خود را از دست می دهد و جریان را از خود عبور می دهد.

اما هنگامی که شما ولتاژ معکوس به دیود متصل می کنید (+ به کاتد و – به آند) جریانی از دیود عبور نمی کند،
مگر جریان بسیار کمی که به جریان نشتی یا Leakage معرف است که در حدود چند µA یا حتی کمتر می باشد.

این مقدار جریان معمولآ در اغلب مدار های الکترونیکی قابل صرفنظر کردن بوده و تاثیر در رفتار سایر المانهای مدار نمیگذارد.
اما نکته مهم آنکه تمام دیود ها یک آستانه برای حداکثر ولتاژ معکوس دارند که اگر ولتاژمعکوس بیش از آن شود دیوید می سوزد و جریان را در جهت معکوس هم عبور می دهد. به این ولتاژ آستانه شکست یا Breakdown گفته می شود.

در دسته بندی اصلی، دیودها را به سه قسمت اصلی تقسیم می کنند، دیودهای سیگنال (Signal) که برای آشکار سازی در رادیو بکار می روند .

و جریانی در حد میلی آمپر از خود عبور می دهند، دیودهای یکسوکننده (Rectifiers) که برای یکسوسازی جریانهای متناوب بکاربرده می شوند و توانایی عبور جریانهای زیاد را دارند و بالآخره دیود های زنر (Zener) که برای تثبیت ولتاژ از آنها استفاده می شود. (ادامه دارد ;)

دیودهای زنر معمولا” با حروفی که در آنها Z وجود دارد نامگذاری می شوند مانند BZX یا BZY و ; و ولتاژ شکست آنها نیز معمولا” روی دیود نوشته می شود، مانند 4V7 که به معنی 47 ولت است. همچنین توان تحمل این دیود ها نیز معمولا” مشخص است و شما هنگام خرید باید آنرا به فروشنده بگویید، در بازار نوع 400mW و 13W آن بسیار رایج است.

در سالهای 1904تا 1947 لامپها تنها وسایل الکترونیکی بودند که برای تقویت مورد استفاده قرار می گرفتند . در سال 1906لامپ سه قطبی توسط لی دی فورست ساخته شد و در سال 1930 لامپ های چهار قطبی ( تترود ) و پنج قطبی پنتود ) نیز ساخته شدند .

در سال های بعد ، صنعت الکترونیک به عنوان یک صنعت اصلی و مهم با قابلیت توسعه بسیار ، مورد الکترونیک به موفقیت جدیدی دست یافت . توجه قرار گرفت . در 23 دسامبر 1947 صنعت
برتریهای ترانزیستور بر لامپ های الکترونی:

بعد از اختراع ترانزیستور ، برتریهای این المان نسبت به لامپهای الکترونی ، به زودی آشکار گشت . به طوری که در رادیو و تلویزیون و هم همچنین مدارات الکترونی برتریهای ترانزیستود نسبت به لامپ های ترانزیستوری ، بلافاصله ساخته شدند . در زیر به برخی از الکترونی اشاره شده است.

مقاله نگرشی بر حضور زنان لبنانی در عرصه های فرهنگی با word دارای 12 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله نگرشی بر حضور زنان لبنانی در عرصه های فرهنگی با word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله نگرشی بر حضور زنان لبنانی در عرصه های فرهنگی با word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله نگرشی بر حضور زنان لبنانی در عرصه های فرهنگی با word :

مقاله نگرشی بر حضور زنان لبنانی در عرصه های فرهنگی با word که چکیده‌ی آن در زیر آورده شده است، در زمستان 1388 در زن در فرهنگ و هنر (پژوهش زنان) از صفحه 107 تا 118 منتشر شده است.
نام: نگرشی بر حضور زنان لبنانی در عرصه های فرهنگی
این مقاله دارای 12 صفحه می‌باشد، که برای تهیه‌ی آن می‌توانید بر روی گزینه‌ی خرید مقاله کلیک کنید.
کلمات مرتبط / کلیدی:
مقاله فعالیت های اجتماعی
مقاله لبنان
مقاله زنان
مقاله فرهنگی
مقاله ادبی

چکیده و خلاصه‌ای از مقاله:
در سده های اخیر با فراهم آمدن فضای آزاد و بستر مناسبی برای حضور زنان در جوامع بشری و انجام فعالیت های ارزنده ای در عرصه های سیاسی، تجاری، فرهنگی، فکری و ادبی، این جوامع به رشد و شکوفایی فزاینده ای دست یافتند و دگرگونی های اساسی در آن ها پدید آمد. زنان جامعه لبنان نیز از این امر مستثنی نبودند. آنان به رغم چالش های پیش رو نه تنها در عرصه فرهنگی و اجتماعی خوش درخشیدند و فعالیت های ثمربخش خود را تا حضور در کنفرانس های فرهنگی و سیاسی داخل و خارج از کشور گسترش دادند، بلکه در عرصه های هنری و ادبی نیز به خلق آثار ماندگاری دست زدند، که کمتر نظیری برای آن در سایر کشورهای عربی می توان یافت.

مقاله بررسی اثر نوسانات ارزی اخیر بر بازده شاخص صنعت بانکها و موسسات اعتباری با word دارای 11 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله بررسی اثر نوسانات ارزی اخیر بر بازده شاخص صنعت بانکها و موسسات اعتباری با word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی مقاله بررسی اثر نوسانات ارزی اخیر بر بازده شاخص صنعت بانکها و موسسات اعتباری با word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد

بخشی از متن مقاله بررسی اثر نوسانات ارزی اخیر بر بازده شاخص صنعت بانکها و موسسات اعتباری با word :

سال انتشار: 1391
محل انتشار: کنفرانس ملی حسابداری، مدیریت مالی و سرمایه گذاری
تعداد صفحات: 11
چکیده:
این مقاله با استفاده ازدو مدل مبتنی بربازار به بررسی اثرنوسانات نرخ ارز برشاخص صنعت بانکها و موسسات اعتباری دربورس اوراق بهادار تهران طی دوره زمانی 1389/7/1 تا 1391/3/9 می پردازد افزایش تجارت جهانی موجب شده که نرخ ارز به عنوان یکی ازمهمترین عوامل تعیین کننده سودآوری شرکت ها و قیمت سهام آنها مورد توجه قرارگیرد درکشورهای درحال توسعه مانند ایران بررسی میزان اثرگذاری ریسکنوسانات نرخ ارز برصنایع مختلف ازاهمیت بالایی برخوردار می باشد صنعت بانکی با حضور13نماد بانکی و سهم 20درصدی ازارزش کل بورس اوراق بهادار جزو صنایع مهم و تاثیر گذار بورس اوراق بهادار است و میزان تاثیری پذیری این صنعت ازنوسانات ارزی موضوعی پراهمیت برای مدیران سهامداران و اقتصادملی به شمار می اید. نتایج حاصل ازتخمین هردو مدل ما نشان داد که رابطه معناداری میاننوسانات نرخ برابری دلارآمریکا درمقابل ریال و شاخص صنعت بانکی و موسسات اعتباری دربورس اوراق بهادار تهران وجود ندارد.